Produktbeskrivelse
Fremstillet af syntetisk grafit med ultra-lavt-askeindhold renses materialet ved 2800 grader for at fjerne metalliske urenheder, og derefter præcisions-bearbejdet i en enkelt proces ved hjælp af fem--akset CNC-fræsning, -boring og -rille. Nogle komponenter har en SiC-oxidationsbestandig-belægning, der muliggør lang-drift i vakuummiljøer, der overstiger 1400 grader uden at reagere med smeltet silicium. Produktlinjen omfatter fuldt tilpassede dele såsom enkelt-krystaldigler, grafitbåde, termiske skjolde, varmeelementer og frøholderarmaturer, designet til produktionsudstyr i stor skala, der håndterer 182/210 mm siliciumwafers. Dimensionstolerancer er nøje tilpasset standarder for montering af fotovoltaisk udstyr.
Produktegenskaber
Ultra-lavt urenhedsindhold og materiale med høj-renhed, eliminerer forurening fra metalurenheder i siliciumwafere, hvilket forbedrer batterikonverteringseffektiviteten
Lav termisk udvidelseskoefficient, bibeholder form og specifikationer uden deformation under langvarig-høj-temperaturcykling
SiC komposit anti-oxidationsbelægning, der forlænger levetiden betydeligt under vakuum/inerte atmosfæreforhold
Høj modstandsdygtighed over for termisk stød, der forhindrer revner og beskadigelse under kold-varm veksling, når udstyr startes eller stoppes
Integreret præcisionsbehandling, høj nøjagtighed af spalter og gennemgående-huller, der sikrer sømløs integration af waferbelastning, termisk feltsamling og ingen mellemrum mellem komponenter
Produktfordele
Den almindelige industrielle grafit har for højt askeindhold og er tilbøjelig til oxidation og afskalning ved høje temperaturer, hvilket kan forårsage sorte pletter på siliciumskiver og unormal resistivitet, hvilket væsentligt øger skrotomkostningerne ved solcelleproduktion. Denne fotovoltaiske-specifikke grafit gennemgår en dobbelt proces med høj-temperaturrensning og overflademodifikation uden forurening af siliciummaterialet under hele processen; de termiske feltkomponenter har ensartet varmeledning, hvilket reducerer problemerne med krystalstangbrud og ujævn tykkelse; grafitbådsåbningerne er standardiserede til forarbejdning, velegnede til automatiseret lastning og losning af produktionslinjer. Det understøtter enkeltprøvetest til batchforsyning med en længere omfattende udskiftningscyklus for forbrugsstoffer, hvilket reducerer tab af fabrikkens nedetid.
Produktets tekniske parametre
| Test vare | Teknisk standard |
|---|---|
| Råmateriale | Ultra-isostatisk grafit med høj renhed til PV |
| Ask indhold | Mindre end eller lig med 20 ppm |
| Bulkdensitet | 1,83-1,93 g/cm³ |
| Maksimal kontinuerlig arbejdstemp | 1600 grader |
| Termisk udvidelseskoefficient | Mindre end eller lig med 0,55×10⁻⁶/grad |
| Overflademodifikation | Valgfri SiC anti-oxidationsbelægning |
| Bearbejdningstolerance | ±0,02 mm |
| Gældende waferstørrelse | 166 mm / 182 mm / 210 mm silicium wafer |
| Siliciumkontamineringsrisiko | Nul udfældning af metalurenheder |
Hvorfor vælge os
Jincheng Grinding Materials and Mold Factory i Huixian City har specialiseret sig i at behandle grafittilbehør til fotovoltaiske siliciumwafers. Vi har mestret de komplette egenudviklede processer til rensning af grafit med høj-renhed, præcisionsbearbejdning og belægning med SiC. Alle fotovoltaiske grafitkomponenter gennemgår tredobbelte inspektioner for renhed, størrelse og høj-temperaturbestandighed, når de forlader fabrikken. Vi kan tilpasse komplet termisk felttilbehør baseret på modellerne af enkelt-krystalovne og PECVD-belægningsudstyr. Vi er bekendt med produktionsstandarderne for oversøiske solcellefabrikker og kan udstede engelske materialeinspektionsrapporter. Vi yder langsigtet-support til indenlandske og udenlandske virksomheder, der fremstiller siliciumwafer.
Fælles problem
-
Urenheder sorte pletter vises på overfladen af silicium wafer
Askeindholdet i grafitsubstratet er for højt. Vores fabrik kontrollerer strengt urenhedsindholdet gennem en rensningsproces med ultra-høj-temperatur.
-
Grafitdelene revner ved høj-temperaturbrug: Underlagets modstandsdygtighed over for termisk stød er utilstrækkelig. Vi vælger ultra-isostatisk grafit med fin partikler for at forbedre sejheden.
-
Det kortsigtede-oxidationstab af grafitdelene er alvorligt
Tilpasset SiC-belægning kan leveres for at isolere den høje-temperaturluft og forsinke tabet.
Populære tags: sol wafer fremstilling af grafit dele, Kina sol wafer fremstilling grafit dele fabrikanter, leverandører, fabrik
