Under krystalvækstprocessen forbliver grafitelektroderne i et argonvakuummiljø ved temperaturer fra 1420 til 1650 grader Celsius. De indre porer i almindelig grafit indeholder stadig resterende vanddamp, organiske flygtige stoffer og sporbor- og fosforurenheder. Disse stoffer frigiver løbende gasser, som forurener siliciumsmelten og får siliciumskivernes resistivitet til at drive, krystaldislokationstætheden til at svæve, og udbyttet af batterier/chips falder betydeligt. Dette produkt gennemgår en 1600-graders langtids-vakuumafgasningsforbehandling-, hvilket fuldstændigt fjerner de interne frie flygtige komponenter. Den samlede gasemissionshastighed er så lav som størrelsesordenen 10⁻¹⁰ Pa・m³/s. Indholdet af bor og phosphorurenheder er mindre end eller lig med 0,01 ppm. Den er velegnet til 12-tommer fotovoltaisk enkeltkrystal silicium, 8-tommer halvlederzoneraffinerende silicium og siliciumcarbidsubstrat krystalvækstproduktionslinjer. Det er et kerneforbrugsmateriale til det termiske felt i fremstillingen af fotovoltaiske og halvledersiliciummaterialer.
Fotovoltaisk CZ, der trækker monokrystallinsk silicium til masseproduktion (hovedsageligt indkøbt af oversøiske fotovoltaiske fabrikker)
Velegnet til 6-12 tommer store monokrystallinske ovne med-størrelse med en enkelt lang krystallisationscyklus på op til 120-180 timer. Elektroderne opretholder en stabil varmeudvikling gennem hele processen uden nogen pludselig gasudslip, der forstyrrer siliciumsmeltens konvektion. Processen til passivering af mikro-hulforsegling anvendes, hvor de bittesmå porer på grafitoverfladen forsegles af et ensartet og tæt kulstoflag, der forhindrer siliciumdampgennemtrængningskorrosion under argonatmosfæren. Elektrodeoverfladen har ingen pulverisering eller kulstofpartikelafgivelse, hvilket undgår for store kulstofurenheder i siliciummaterialet.
Indholdet af bor- og fosforurenheder er strengt kontrolleret, hvilket eliminerer afvigelsen af modstandsområdet for N-type/P-type siliciumwafers. Udsvingsamplituden af minoritetsbærerens levetid for enkeltkrystal per batch kontrolleres inden for ±3μs, sammenlignet med almindelige grafitelektroder stiger enkeltkrystaludbyttet med 12%-18%. Ensartethedsfejlen for elektroderesistiviteten er mindre end eller lig med 0,3μΩ・m, den termiske felttemperaturforskel inde i ovnen er stabiliseret ved ±4 grader, hvilket sikrer, at andelen af sektionen med konstant diameter af siliciumstangen er større end eller lig med 92%, hvilket reducerer tab af råmateriale betydeligt.
Semiconductor FZ zone smeltende høj-renhed siliciumchip-påføring
Til vækstbetingelser på 8-tommer og mindre zone, der smelter høj-silicium (9N - 11N ultra-high purity silicium) vækstbetingelser, overholder dette produkt SEMI F63-standarden for ren grafit for halvledere. Hele processen er fri for organiske klæbemidler og svovlholdige flygtige urenheder. Det totale indhold af metalovergangsurenheder Fe/Ni/Cu er mindre end eller lig med 0,2 ppm. Den lave udstødningskarakteristik kan holde vakuumgraden i ovnen stabil ved 10⁻⁷ Pa eller derover, og mængden af flygtige udslip er 90 % lavere end for industristandardprodukter. Det undgår fuldstændigt defekter som spånlækage og utilstrækkelig gennembrudsspænding forårsaget af sporurenheder.
Den kan tilpasses med hulvand-afkølet elektrodestruktur. Under krystalvækst reduceres elektrodelegemets temperatur med 300 grader, hvilket yderligere undertrykker høj-temperaturudstødning og tilpasser sig høj-kontinuerlig zonesmelteproduktion. En enkelt elektrode kan stabilt bruges til mere end 600 ovne, hvilket imødekommer den kontinuerlige produktionsefterspørgsel fra halvlederfabrikker.
SiC Carbonization Silicium Carbide Substrate Crystal Growth Kit (Emerging Field of the Third-Generation Semiconductor)
Væksttemperaturen for SiC er så høj som 2100-2400 grader. Ved så høje temperaturer er almindelig grafit tilbøjelig til at frigive CO og kulbrintegasser, som kan skade SiC-gitterets integritet. Dette produkt gennemgår dobbelt behandling med 2700 graders ultra-grafitisering ved høj temperatur og vakuumafgasning. Den samlede mængde af gasformige stoffer, der frigives ved høje temperaturer, er ekstremt lav. Det har også evnen til at modstå ultra-højtemperatur silicium-kulstofdampkorrosion, har en ekstremt lav termisk udvidelseskoefficient og viser ingen revner eller deformation under cykliske opvarmnings- og afkølingscyklusser på 2400 grader.
Elektroderne kan matches med ikke-standardstørrelser af vertikale PVT SiC krystalvækstovne og understøtter segmenterede gevindforseglingsforbindelser. Kontaktmodstandsfluktuationerne ved forbindelsespunkterne er ekstremt små, der er ingen lokale overophedningsudstødningspunkter, og der kan produceres stabile SiC-substrater med lav-defekt-densitet.
Differentieret eksklusiv behandlingsteknologi (helt adskilt fra almindelige vakuumgrafitelektroder)
1. Valg af råmateriale: Vælg ultra-fin-kornede (D50=5}μm) isotropiske grafitemner, med oprindeligt flygtigt materiale Mindre end eller lig med 0,03 %, hvilket reducerer udstødningsbasen fra kilden;
2. Multi-vakuumafgasning: 1600 graders inert atmosfære vakuumisolering i 72 timer, lag for lag fjerner vanddamp, frie kulbrinter og opløselige urenheder i porerne;
3. Mikro-porepassiveringsforsegling: Kemisk dampaflejring ved lav-temperatur af tyndt kulstoflag for at fylde overflademikro-porer, hvilket blokerer frigivelseskanalerne for indre flygtige stoffer til ydersiden;
4. Spændings-fri præcis behandling: Langsom trådskæring + CNC-spejldrejning, uden bearbejdning af revner, ingen overfladeporøsitet, eliminerer nye udstødningskanaler efter behandling;
5. Ikke-destruktiv testning: Hver elektrode fuldender heliumdetektion af udstødningsgashastighed, fuld inspektion af ICP-MS-urenheder og modstandshastighedsensartethedsdetektion, ledsaget af halvleder--inspektionsrapport til eksport.
Halvleder-klasse ultra-lav udstødningsydelse
Den samlede udstødningshastighed ved 1600 graders krystalvæksttilstand er mindre end 8×10⁻¹⁰ Pa·m³/s, frigivelsen af flygtige kulbrintekomponenter er mindre end 0,01 ppm, hvilket er 95 % lavere end for konventionelle vakuumgrafitelektroder, og det eliminerer fuldstændigt siliciumforureningen af gasforurening.
Ekstremt streng kontrol med bor- og fosforurenheder (kerneproblem med enkeltkrystal)
Bor mindre end eller lig med 0,01 ppm, fosfor mindre end eller lig med 0,01 ppm, uden dopinginterferens, ensartetheden af siliciumwafer-resistiviteten er forbedret med 40%, velegnet til synkron produktion af N/P type enkeltkrystal silicium.
Lav udånding uden kulstofforureningsstruktur
Mikro-poreforsegling og passiveringsbehandling, porøsiteten reduceres til under 0,12 %, under krystalvækstprocessen sker der ingen grafitpulverafgivelse, tilvæksten af kulstofurenheder i siliciumsmelten er mindre end 0,02 ppm, hvilket opfylder standarderne for høj-renhed silicium/halvleder-/halvleder-silicium til fotovold.
Langsigtet-stabilt ledende varmefelt
Rumtemperaturresistivitet er 4,5-5,2 μΩ·m, den ensartede fejl af hele elektroderesistiviteten er mindre end eller lig med 0,3 μΩ·m, kontinuerlig drift ved 1650 grader i 180 timer uden modstandsdrift, temperaturforskellen i varmefeltet er mindre end eller lig med ± 4 grader.
Hvorfor vælge os?
Specialiseret produktionslinje til monokrystallinsk silicium, med målrettet afgasningsproces
2. Halvleder-omfattende dimensionskontrolsystem for urenheder
3. One-tilpasningsevne til tilpasning til de almindelige enkelt-krystalovne verden over
4. Forøgelse af masseproduktionsudbyttet med understøttende teknisk support
5. Stabil eksportlevering og komplette eksportkvalifikationer. Vi har altid solcelleprodukter i standard-størrelse-enkeltkrystal på lager, og specialfremstillede-varer kan leveres inden for 7-12 dage.
Produkt tekniske parametertabel
| Ingen. | Inspektionsvare | Siliciumkrystal lavafgassende grafitelektrode standard | Test detektionsmetode |
|---|---|---|---|
| 1 | Råvarekvalitet | Fin-3D isostatisk halvledergrafit (D50=5μm) | Partikelstørrelse laseranalysator |
| 2 | Fast kulstofindhold | Større end eller lig med 99,9998 % | Høj-temperaturforbrændingscarbonanalysator |
| 3 | Samlet askeindhold | Mindre end eller lig med 2 ppm | ICP-MS Full Element Detection |
| 4 | Bor urenhedsindhold | Mindre end eller lig med 0,01 ppm | Induktivt koblet plasmamassespektrometri |
| 5 | Indhold af fosforurenheder | Mindre end eller lig med 0,01 ppm | ICP-MS Ultra-sporelementtest |
| 6 | Total urenhed af overgangsmetal (Fe, Ni, Cu, Cr) | Mindre end eller lig med 0,2 ppm | ICP-MS Multi-element-scanning |
| 7 | Samlet udgasningshastighed (1600 grader, vakuum) | ＜8 × 10⁻¹⁰ Pa·m³/s | Helium Leak Vakuum Outgassing Tester |
| 8 | Frigivelse af flygtige kulbrinter | ＜0,01 ppm | Termisk desorption GC-MS-test |
| 9 | Rumtemperatur modstand | 4.5 – 5.2 μΩ·m | Fire-punkts sonderesistivitetsmåler |
| 10 | Resistivitet Ensartethed Afvigelse | Mindre end eller lig med 0,3 μΩ·m | Multi-point høj-modstandsscanning |
| 11 | Bulkdensitet | 1,88 – 1,91 g/cm³ | Archimedes tæthedstest |
| 12 | Indre porøsitet | ＜0.12 % | Mercury Intrusion Porosimetri |
| 13 | Termisk udvidelseskoefficient (25-1600 grader) | 2,6 × 10⁻⁶ / grad | Høj-temperaturdilatometer |
| 14 | Termisk stødmodstandscyklusser (1650 grader ↔ RT) | Større end eller lig med 900 cyklusser uden revne | Thermal Cycle Furnace Aldringstest |
| 15 | Kontinuerlig levetid (CZ Silicon Pulling) | 500+ krystalvækstbatcher | Faktisk ovndrift ældningstest |
| 16 | Arbejdstemperaturområde | 1420 – 2400 grader (Vacuum Argon Atmosphere) | Høj temperatur stabilitetstest |
| 17 | Overfladebehandling | Micropore Sealing & Passivation Carbon Coating | Profilometer for overfladeruhed (Ra mindre end eller lig med 0,6 μm) |
| 18 | Brugerdefineret tilgængelig struktur | Solid stang / hult vand-afkølet / segmenteret gevindsamling / speciel rille | CNC brugerdefineret bearbejdningstegning |
Populære tags: lavafgassende grafitelektroder til siliciumkrystalvækst, Kina lavafgassende grafitelektroder til siliciumkrystalvækst producenter, leverandører, fabrik
