Vores speciale ligger i at løse problemer relateret til halvlederemballage
Detaljeret introduktion
Termisk ledningsevneprincip: Anisotropisk lagstruktur
Grafit er sammensat af sp² hybridiserede carbonatomer arrangeret i hexagonale lagstrukturer:
Inden for laget (i planet): Stærke kovalente bindinger, fonontransmissionseffektiviteten er ekstrem høj → Ultra-høj termisk ledningsevne i planet
Mellem lag (vinkelret på planet): Svage van der Waals-kræfter → Meget lav varmeledning uden for planet (≈ 10–25 W/m・K)
Kerneegenskaber: Anisotropi - Ekstremt stærk varmeledning langs planet, meget svag varmeledning vinkelret på planet; Design skal arrangeres inden for planet ved oprettelse, for sideværts varmeudvidelse.
Effektivitetsspring Præcision og stabilitet
| Præstationsindikatorer | Syntetisk grafit med høj varmeledningsevne | Syntetisk grafit med høj varmeledningsevne | Kobber | Aluminium |
|---|---|---|---|---|
| I-plan termisk ledningsevne (W/m・K) | 1500–1900 | 2000–2200 | 401 | 237 |
| Udvendig varmeledningskoefficient (W/m・K) | 15–25 | 10–20 | 401 | 237 |
| Massefylde (g/cm³) | 2.1–2.2 | 2.2 | 8.9 | 2.7 |
| Termisk udvidelseskoefficient (ppm/grad) | 1–4 | 0.5–2 | 17 | 23 |
| Temperatur-bestandig (luft/inert) | 450 grader / 3000 grader | 500 grader / 3000 grader | 500 grader | 600 grader |
| Elektrisk resistivitet (Ω・cm) | 10⁻³–10⁻⁴ | 10⁻⁴ | 1.7×10⁻⁶ | 2.8×10⁻⁶ |
Begrænsninger (design skal-kende)
Anisotropi, lodret varmeledningsforskel: Kan ikke udføre lodret varmeafledning alene; det skal kombineres med kobber / VC / finner;
Skørhed, lav mekanisk styrke: Grafitplader er tilbøjelige til at revne; de har brug for bagende lim / belægning / kompositsubstrat;
Ledende, kræver isoleringsbehandling: For at undgå kortslutninger;
Oxideres nemt i luft med høj-temperatur: > 450 grader kræver SiC/BN/TaC-belægningsbeskyttelse.
Industriapplikationer (Halvleder fuld kæde)
AI-servere/datacentre/høj-performance computing
Anvendelse: GPU, CPU, Hukommelse, Power Modul Høj termisk ledningsevne grafitplade + VC Composite varmeafledning;
Værdi: Høj-Density Computing Power, Hot Spot-undertrykkelse, ensartet temperatur, vægtreduktion, reduceret blæserstrømforbrug.
Semiconductor Manufacturing (wafers / epitaksial / vækstkrystaller / vakuum termisk felt)
Anvendelse: SiC enkelt krystal vækstovn grafitdigel / base, epitaksial grafitbakke, PECVD / ætsningsgrafitelektrode, vakuumovn grafitisolering / varmeafledningskomponenter, grafitskruer / møtrikker;
Værdi: 2000 grader + høj temperatur, høj renhed, lav urenheder, lav gasfrigivelse, ensartet varmefordeling, forbedret udbytte.
Industriapplikationer (Halvleder fuld kæde)
Optisk kommunikation / 5G basestationer, rumfart, militær industri
Anvendelse: Optiske moduler, RF-forstærkere, radar, satellitelektronik, høj-laserenheder varmeafledning;
Værdi: Let, høj pålidelighed, ekstrem miljøstabilitet.
Vores kerneprodukt
grafitprodukter
syntetisk grafit
høj renhed grafit
industriel grafit
grafit materiale
grafitkomponenter / grafitdele
grafit termisk plade / grafit varmespreder
fleksibel grafitplade/grafitfolie
isostatisk grafit / isostatisk presset grafit
høj termisk ledningsevne grafit varmespreder
5N ultra høj renhed grafit digel til SiC krystal vækst
grafitbåd til PECVD / grafitsusceptor til epitaksi
Populære tags: høj termisk ledningsevne syntetisk grafit varmespreder til halvleder cpu gpu køling, Kina høj termisk ledningsevne syntetisk grafit varmespreder til halvleder cpu gpu køling producenter, leverandører, fabrik
