I. Grafitdigel til enkeltkrystal-trækovn (CZ Core Consumable for Single Crystal Silicium)
Branchevidenspunkter
Anvendelse: Til at holde på smeltet siliciummateriale, hvilket giver et formhulrum til vækst af enkeltkrystal siliciumstænger, velegnet til 12/14/16-tommer store enkeltkrystalovne;
Udfordringer på arbejdspladsen: Langvarig-nedsænkning i 1420 graders siliciumvæske, almindelig grafit er tilbøjelig til at silicium siver ud, revner og indfører urenheder såsom aske;
Industriens hårde standarder: Askeindholdet skal være mindre end eller lig med 20 ppm; ellers kan siliciumstængerne have sorte pletter eller ikke opfylde kravene til modstandshastigheden.
Kerne tekniske parametre
| Test vare | Standard parameter |
|---|---|
| Råmateriale | Ultra-finkornet isostatisk grafit |
| Ask indhold | Mindre end eller lig med 20 ppm |
| Bulkdensitet | 1,88~1,93 g/cm³ |
| Servicecyklus | 180~240 ovnløb |
| Termisk stødmodstand | Ingen revner efter 100 gange opvarmning-afkølingscyklus |
2.PECVD filmaflejringsgrafitbåd (siliciumwaferaflejringsbærer)
Branchekendskabspunkter
1. Funktion: Bærer 182/210 mm siliciumskiver ind i aflejringskammeret for at fuldende nitridbelægningen af battericellerne;
2. Industrieltrend: Store tynde wafere, design med smal spalte, den enkelte båd kan bære 30% flere wafere end før, velegnet til automatiserede produktionslinjer;
3. Tabslogik: Plasmaet bombarderer kontinuerligt overfladen, grafitbåden uden belægning skal udskiftes efter 300 cyklusser; levetiden for den SiC-belagte model øges med 2 gange.
Kerne tekniske parametre
| Test vare | Standard parameter |
|---|---|
| Wafer kompatibel | 182mm / 210mm silicium wafer |
| Bearbejdningstolerance | ±0,02 mm spalteafstand |
| Belægningsmulighed | SiC anti-plasmabelægning |
| Enkelt levetid | 300 gange (ubelagt) / 700 gange (SiC-belagt) |
| Åben porøsitet | Mindre end eller lig med 0,15 % |
3. Grafit varmeelement (varme kerne komponent af enkelt krystal ovn)
Branchekendskabspunkter
1. Funktion: Strålende opvarmning i vakuumovn, opretholdelse af konstant temperatur af siliciumsmelte, bestemmelse af stabiliteten af diameteren af krystalstangen;
2. Ydeevnekrav: Modstanden skal være ensartet uden afvigelse, lokal overophedning kan få siliciumstangen til at knække eller resultere i gitterdefekter;
3. Industriel elimineringstendens: Groft-grafitvarmeelementer erstattes gradvist af ultra-fin-kornede isostatiskepresning af grafit.
| Test vare | Standard parameter |
|---|---|
| Arbejdstemp | Max 1600 grader kontinuerlig |
| Resistivitetsafvigelse | Helt mindre end eller lig med 3 % |
| Termisk ledningsevne | Større end eller lig med 140 W/(m·K) |
| Oxidationsmodstand | Stabil under vakuum inert atmosfære |
| Servicelevetid | 1200 ovncyklusser |
IV. Grafitafledningscylinder / termisk skærm (enkelt krystalisoleringsafledningskomponent)
Industri Videnspunkt
Formål: At isolere den kolde zone af ovnlegemet, styre argongasstrømmen, stabilisere den termiske feltgradient af krystalstangen og reducere dislokationsdefekter;
Industriproces: Dobbelt-kompositstruktur med høj-densitets indre lag og ydre lag med lav-densitet isolerende grafit;
Almindelige fejl: Deformation af den termiske skærm vil forårsage udsving i tykkelsen af siliciumstangen og et fald i batterikonverteringseffektiviteten på 0,3 % til 0,8 %.
V. Seed Crystal Spindel + Grafit Trækstang (Crystal Pulling Suspension Component)
Industri Videnspunkt
Formål: At holde frøkrystallen og trække for at danne en enkelt-krystal siliciumstang. Den kan gennemgå langvarig frem- og tilbagegående bevægelse og skiftende kulde- og varmeforhold.
Materialevalgslogik: Ultra-grafit med høj bøjningsstyrke. Det er ikke tilbøjeligt til at gå i stykker under løft og træk, og undgår dermed spild af hele partiet af siliciummaterialer.
Industrikontrol: Vægtfejlen for hvert stykke er strengt kontrolleret for at forhindre, at tyngdepunktet under træk flytter sig.
VI. Polykrystallinsk Ingot Graphite Form (配套 til DS Ingot Furnace)
Branchevidenspunkter
Anvendelse: Indeholder siliciumvæske til afkøling og dannelse af polykrystallinske siliciumbarrer. Mest brugt til billige-distribuerede fotovoltaiske siliciumwafers;
Differentielle driftsforhold: Sammenlignet med enkelt-opvarmningssystemer er grafitformen til støbning af barrer mere fokuseret på at modstå store-arealerosion fra siliciumvæsken;
Markedsstatus: Polykrystallinsk produktionskapacitet er faldet, og produkterne eksporteres gradvist til oversøiske og sydøstasiatiske fotovoltaiske fabrikker.
VII. SiC Coated Graphite Parts (Universal Upgrade Edition for alle kategorier)
Brancheviden
Procesprincip: En karboniseret siliciumfilm aflejres på overfladen af grafit for at isolere siliciumvæske, plasma og høj-temperatur-ilt;
Industriværdi: Levetiden for alle fotovoltaiske grafitdele øges med 1,8 til 2,5 gange efter belægning, hvilket reducerer hyppigheden af udstyrslukning og udskiftning;
Anvendelsesområde: Grafitbåde, digler og varmeelementer kan alle tilpasses med belægning.
Generel Industri Supplerende Viden
Purity Red Line: Askeindholdet i grafitkomponenterne i fotovoltaiske siliciumwafers skal kontrolleres inden for 20 ppm. Metalurenheder vil direkte beskadige PN-forbindelsen af fotovoltaiske celler;
Omkostningslogik: SiC-belægningen vil øge indkøbsomkostningerne i et enkelt-stykke, men reducere det samlede tab af siliciumwafers betydeligt på grund af produktionslinjens nedetid og skrot;
Outsourcing af markedstendenser: Opførelsen af nye fotovoltaiske fabrikker i Sydøstasien og Mellemøsten øger efterspørgslen efter komplette grafitvarmesystemer med høj-renhed og store-grafitbåde år for år.
