Den isostatiske grafitstøttering med 99,99 % høj-renhed er en kernekomponent i det termiske område af fotovoltaiske og halvleder-enkeltkrystalovne-, der fungerer som både et lastbærende-element og et renrumselement. Med seks nøgleegenskaber-ultra-høj renhed, isotropi, høj-temperaturmodstand, lav termisk udvidelse, kemisk inerthed og præcisionsbearbejdning-sikrer det enkelt-renhed, udbytte og termisk feltstabilitet. De primære anvendelsesscenarier omfatter fotovoltaiske CZ-ovne, halvledersiliciumwafers og SiC-enkeltkrystalovne.
Monokrystallinsk siliciumgrafitstøttering (99,99% / 4N isostatisk grafit med høj -renhed), er den kernestrukturelle komponent i det termiske felt i den direkte trækkende (CZ) enkeltkrystalovn. Det bruges i en vakuum-/argon-atmosfære ved temperaturer fra 1400 til 1600 grader for stabilt at understøtte grafitdigelen, styrerøret, isoleringsdækslet og varmeelementet, bære aksiale belastninger, sikre koncentriciteten og dimensionsstabiliteten af det termiske felt, forhindre urenhedsforurening af siliciumsmeltningen og garantere siliciums renhed og c. stang.
Materiale: Høj-renhed isostatisk kunstig grafit (isostatisk grafit), med et kulstofindhold på **Større end eller lig med 99,99 % (4N)**, samlede urenheder Mindre end eller lig med 100 ppm, nøglemetalurenheder (Fe, Cu, Al, Ca osv.) Mindre end eller lig med 1 ppm.
Kernefunktion: Last-leje + positionering + varmeisolering + anti-forurening. Det er en uundværlig basiskomponent til fotovoltaisk / halvleder-enkrystaltræk.
Detaljerede funktioner (kernefordele)
Ultra-høj renhed, der eliminerer siliciumforurening (den mest afgørende faktor)
99,99% (4N) høj renhed, med ekstremt lave urenheder. Det fordamper eller frigiver ikke metalurenheder ved høje temperaturer og undgår ilt-, kulstof- og metalurenhedsfejl i siliciumenkeltkrystaller, hvilket direkte forbedrer enkeltkrystaludbyttet og batterikonverteringseffektiviteten. Almindelig grafit har høje urenheder, som kan forårsage sorte pletter på siliciumwaferen, lækage og et fald i minoritetsbærerens levetid.
Detaljerede funktioner (kernefordele)
Isostatisk pressestøbning, isotrop og ensartet struktur
Kold isostatisk presning (CIP) støbning med ensartet ydeevne i alle tre dimensioner, ingen orientering og ensartet tæthed; det deformeres ikke, deformeres eller revner ved høje temperaturer, hvilket sikrer koncentricitet af det termiske felt og undgår excentricitet, knækkede kanter og forskydninger under enkeltkrystal-trækprocessen.
Detaljerede funktioner (kernefordele)
Høj temperaturbestandighed, stærk termisk stabilitet og modstand mod termisk stød.
Det kan arbejde i lang tid ved 1500–1600 grader under vakuum/argon atmosfære, og i kort tid ved 2200 grader; højtemperaturstyrken falder ikke, men stiger lidt; den termiske udvidelseskoefficient er ekstremt lav, og den revner ikke, falder ikke af og deformeres ikke under intenst termisk chok under hurtig opvarmning og afkøling.
Anvendelse til industrier og scenarier
1) Fotovoltaisk industri (mest kerne)
Monokrystallinsk silicium CZ-trækovn (12/16/18/20/22/28 tommer): Understøttende grafitdigel, afledningsrør, isoleringscylinder, varmeelement, varmeisoleringsskærm; Sikring af stabilt termisk felt, renhed af siliciumstænger, udbytte og konsistens.
Velegnet til monokrystallinske siliciumstænger af N-type/P-type og høj-produktion af fotovoltaiske siliciumwafers.
Anvendelse til industrier og scenarier
2) Halvlederindustrien
Halvleder-monokrystallinsk siliciumovn (12 tommer og derover): Producerer siliciumwafers til integrerede kredsløb, der kræver 5N (99,999%) ultra-høj renhed, med urenheder kontrolleret til ppm/ppb-niveau.
Siliciumepitaksi, PECVD, vakuum varmebehandling termiske feltstøttekomponenter.
Lever løsninger til støtteringene i enkeltkrystalovne
Vores gratis servicehotline:+8615617175030
30
år
Vi har arbejdet i branchen siden 1984
32
certifikater
Vi har opnået de fleste af de professionelle certifikater i branchen og insisterer på internationale standarder for produktion.
18
priser
Vi har vundet en masse priser for stærk kreativitet
Populære tags: grafitstøttering til monokrystallinsk silicium – 99,99% (4n) isostatisk grafit med høj renhed, Kina grafitstøttering til monokrystallinsk silicium – 99,99% (4n) isostatisk grafit med høj renhed, producenter, leverandører, fabrik
